Транзисторы германиевые диффузиозно-сплавные р-n-р универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и табулированной конструкций.
Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводам (М4А, М4Б. М4В, М4Г, М4Д, М4Е).
Обозначение типа приводится на корпусе. Вывод эмиттера на корпусе транзисторов М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е маркируется красной точкой.
Масса транзистора не более 0,5 г.